RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
42
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2597
2782
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link