RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,027.0
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,837.1
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,027.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
794
2422
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link