RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
10.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2327
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link