RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB против Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,027.0
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
52
Около -63% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,837.1
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,027.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
794
2900
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link