RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,027.0
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около -117% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,837.1
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,027.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
794
2852
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link