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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,027.0
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
52
En -117% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,837.1
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,027.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
794
2852
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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