RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,027.0
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
52
Около -136% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,837.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,027.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
794
3075
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link