Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Средняя оценка

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,027.0 14.3

Среднее значение в тестах

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 52

Около -73% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,837.1 18.3
Скорость записи, Гб/сек

2,027.0 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

794 3491

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB

модули RAM