RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,135.0
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3693
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link