RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3693
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link