Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 18.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,135.0 14.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 51

Около -70% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 30
Скорость чтения, Гб/сек

5,021.4 18.4
Скорость записи, Гб/сек

2,135.0 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

855 3657

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB

Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

модули RAM