RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,135.0
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2925
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link