RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
2,135.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
9.1
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2046
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link