Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 51
    Intorno -38% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.6 left arrow 2,135.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    51 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    5,021.4 left arrow 9.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,135.0 left arrow 7.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    855 left arrow 2046
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti