RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,135.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2374
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link