RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
72
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
2,135.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
72
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
1593
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link