RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
20.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,135.0
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3343
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link