RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3122
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link