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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
14.3
14.8
写入速度,GB/s
10.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
3122
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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