RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2659
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link