RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
2659
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link