RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3148
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link