RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
14.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2497
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link