RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2935
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link