RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2429
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link