RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
13.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2193
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link