RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2462
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link