RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
71
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
1902
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link