RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против InnoDisk Corporation 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.6
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около -11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
7.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2163
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9955429-007.A00LF 1GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY32GX3M4A1600C9 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link