RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3106
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link