RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3106
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link