RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2786
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link