RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2999
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link