RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
27
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3380
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link