RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
27
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3380
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link