RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
19.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3879
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link