RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3519
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link