RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2429
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link