RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2690
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link