RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1512
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link