RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
42
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2525
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link