RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Kingston XRMWRN-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3402
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link