RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3285
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link