RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2762
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link