RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2103
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link