RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2100
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link