RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
39
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
3087
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link