RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2086
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link