RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
2925
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link