RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2880
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link