RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около -11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
10.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2327
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link